Especificaciones generales:
- Capacidad: 512 GB
- Formato: M.2 2280 (single-sided)
- Interfaz: PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3
- Controlador: Silicon Motion SM2263XT (sin DRAM, con HMB)
- NAND Flash: 96 capas TLC 3D NAND (Toshiba BiCS4)
Rendimiento:
- Lectura secuencial: Hasta 1,700 MB/s
- Escritura secuencial: Hasta 1,100 MB/s
- Lectura aleatoria (4K): Hasta 290,000 IOPS
- Escritura aleatoria (4K): Hasta 260,000 IOPS
Tecnologías adicionales:
- HMB (Host Memory Buffer): Sí
- SLC Cache: Sí (pseudo-SLC para mejorar escrituras)
- ECC: NANDXtend ECC Technology
- TRIM y SMART: Compatibles
Condiciones operativas:
- Temperatura de operación: 0°C a 70°C
- Temperatura de almacenamiento: -40°C a 85°C






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